Интерфейс PCIe 4.0 x4/ 5.0 x2, NVMe 2.0

Форм-фактор M.2 (2280)

Энергопотребление в режиме чтения/ записи, Вт 5.5/ 4.7

Энергопотребление в «спящем» режиме (L1.2), мВт 60/ 5

Шифрование данных Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)

Ресурс, TBW  1200

Емкость накопителя 2 ТБ

NAND Samsung V-NAND TLC

Контроллер  In-House разработка Samsung

Кэш HMB (Host Memory Buffer)